[发明专利]存储器测试方法有效
| 申请号： | 201510096247.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104637541B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 罗斌;岳小兵;王玉龙;邵嘉阳;郝丹丹;季海英 | 申请（专利权）人： | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，找到最小擦除时间；并用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。减少擦除测试所需要的时间；分阶段测试所述被测存储器存储单元的存储数据电流，形成所述存储单元的电流分布图，当所述被测存储器存储单元的存储数据电流异常时，则测试失败，立即停止测试，技术人员可以通过所述电流分布图分析出测试失败的原因，可以在保障所述被测存储器的存储单元擦写性能准确性的同时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试失败的原因，提高测试效率，进而提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括以下步骤：测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。
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