[发明专利]存储器测试方法

说明书

本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，找到最小擦除时间；并用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。减少擦除测试所需要的时间；分阶段测试所述被测存储器存储单元的存储数据电流，形成所述存储单元的电流分布图，当所述被测存储器存储单元的存储数据电流异常时，则测试失败，立即停止测试，技术人员可以通过所述电流分布图分析出测试失败的原因，可以在保障所述被测存储器的存储单元擦写性能准确性的同时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试失败的原因，提高测试效率，进而提高产能。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其是一种存储器测试方法。

背景技术

存储器是各种通信电子的主要存储部件，并广泛用于其它电子设备中。对半导体存储器的基本要求是高精度，大容量，低功耗、数据保存时间长，可以在无须附加电压的条件下实现逐字的擦和写。具有擦写方便、迅速的特点，因此得到了广泛的应用。

擦写性能(endurance)是存储器可靠性性能的重要指标之一。现有的存储器擦写性能的测试方法，是将测试对象(芯片chip或模块block)进行不断地擦写动作，直到擦写到客户要求规格的两倍次数或者一直擦写到失效，这样做虽然能准确反映产品的擦写性能，但是该方法最大的问题是耗时太长。如某存储器产品要求擦写性能保证1000K，假设每次擦写需要5ms，那在完整的测试擦写性能时，需要耗时5ms×1000K＝5000s，还不包括通信时间，编程时间、读取时间等，使得测试效率低下，影响产能。

现有技术中还可以通过缩紧测试规格来缩短测试时间，一般是通过设立一个较严的规格，使其大于实际使用规格来进行存储器擦写性能的测试，但是效果并不太好。因为存储器性能测试不仅与设计有关系，还跟工艺制造有很大关系，如果采用缩紧测试方法，在工艺变化时，不能正确判断问题所在，也就是说，当所述存储器擦写性能测试失败时，不能确定是所述存储器的设计问题还是工艺制造问题，而且有可能得出相反的结论，这就说明单凭缩紧测试规格虽然能节约测试时间，但是不能得到准确的擦写性能评价。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器测试方法，以解决存储器测试中耗时长、效率低以及工艺发生变化时无法确定测试失败原因的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：

测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；

使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。

优选的，在上述的存储器测试方法中，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到所述最小擦除时间。

优选的，在上述的存储器测试方法中，所述二分法测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间包括以下步骤：

S11：设定一第一边界值和一第二边界值；

S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边界值为第二边界值；

S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间。

优选的，在上述的存储器测试方法中，所述第一边界值为零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。