[发明专利]存储器测试方法

权利要求书

1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；

使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。

2.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，所述二分法测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间包括以下步骤：

S11：设定一第一边界值和一第二边界值；

S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边界值为第二边界值；

S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小擦除时间。

3.如权利要求2所述的存储器测试方法，其特征在于，所述第一边界值为零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。

4.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流包括以下步骤：

S21：对所述被测存储器进行擦除操作；

S22：对所述被测存储器进行编程操作；

S23：对所述被测存储器进行读操作；

S24：重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，并且在重复的过程中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流，直到达到所述被测存储器的规定擦写次数，或者所述存储数据电流异常。

5.如权利要求4所述的存储器测试方法，其特征在于，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流具体为：分阶段测试所述被测存储器的读操作电流。

6.如权利要求4所述的存储器测试方法，其特征在于，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流为：在所述被测存储器的规定擦写次数内，多次测试所述被测存储器的存储数据电流。

7.如权利要求4所述的存储器测试方法，其特征在于，所述编程操作为向所述被测存储器中写入数据。

8.如权利要求6所述的存储器测试方法，其特征在于，所述读操作为从所述被测存储器中读出数据，若读出数据与写入数据相同，则所述被测存储器工作正常。

9.如权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，所述写入数据包括：00、01、10、11。