[发明专利]MIM电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 201510095276.7 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990099B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MIM电容器及其制作方法，在形成第一金属层之后先进行退火，然后依次在第一金属层上沉积第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层，并且第二绝缘层中硅元素与氮元素的比值大于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值，从而降低第一金属层的表面应力，改善第一金属层表面的异常析出现象，并且由于第一绝缘层与第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值减小，从而减小了与第一金属层以及第二金属层相接触的表面上的悬空键，提高了电容器的电场耐受力，最终提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火；在所述第一金属层上依次沉积第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层中硅元素与氮元素的比值大于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值，以减小所述第一绝缘层与所述第一金属层接触表面以及所述第三绝缘层与后续形成的金属层接触表面的悬空键；在所述第三绝缘层上形成第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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