[发明专利]半导体装置

摘要

本发明关于半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设置在第一半导体区域表面；绝缘层，设置在第一及第二半导体区域上；配线层，设置在绝缘层上，与第二半导体区域电连接；第三半导体区域，设置在绝缘层下，与第一半导体区域相接；第四半导体区域，由第四与第二半导体区域夹隔第一半导体区域；第五半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第一半导体区域高；第六半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第四半导体区域低；以及第七半导体区域，由第七与第六半导体区域夹隔第一半导体区域，第七半导体区域杂质浓度比第一半导体区域高，且连接于配线层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；绝缘层，设置在所述第一半导体区域上及所述第二半导体区域上；配线层，设置在所述绝缘层上，与所述第二半导体区域电连接；第二导电型的第三半导体区域，设置在所述绝缘层下，且与所述第一半导体区域相接；第二导电型的第四半导体区域，由该第四半导体区域与所述第二半导体区域夹隔所述第一半导体区域；第一导电型的第五半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第四半导体区域之间，且具有比所述第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度；第二导电型的第六半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第四半导体区域之间，且具有比所述第四半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度；以及第一导电型的第七半导体区域，由该第七半导体区域与所述第六半导体区域夹隔所述第一半导体区域，该第七半导体区域具有比所述第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度，且连接于所述配线层。