[发明专利]CMOSMEMS电容式湿度传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种CMOS MEMS电容式湿度传感器及其制备方法，属于半导体芯片技术，该CMOS MEMS电容式湿度传感器由于位于湿度敏感介质层的正投影内的衬底上形成有若干子空气通道，从而通过该子空气通道提高传感器的灵敏度及可缩短响应时间，而又由于相邻两个子空气通道之间形成有支撑柱，从而通过该支撑柱提高敏感器件区的强度，以防止该湿度传感器在实际应用时破裂，进而使该湿度传感器在灵敏度和响应时间都得到保证的情况下，改善了其结构强度，而通过该方法所制备形成的CMOS MEMS电容式湿度传感器由于形成有子空气通道和支撑柱，所以其在灵敏度和响应时间都得到保证的情况下，能够改善其结构强度。

主权项

一种CMOS MEMS电容式湿度传感器，包括具有正面和背面的衬底、设置在所述衬底正面的第一电容电极和第二电容电极及形成在第一电容电极和第二电容电极之间的湿度敏感介质层，所述第一电容电极、第二电容电极和湿度敏感介质层形成敏感器件区，其特征在于：所述CMOS MEMS电容式湿度传感器还包括自所述衬底的背面朝正面延伸形成的若干子空气通道，所述衬底包括形成在相邻两个所述子空气通道之间的支撑柱，若干所述子空气通道位于所述湿度敏感介质层的正投影内，所述支撑柱支撑所述敏感器件区，所述CMOS MEMS电容式湿度传感器还包括淀积在所述衬底正面的氧化层及自所述若干子空气通道向上延伸贯穿氧化层形成的填充腔，所述湿度敏感介质层延伸至所述填充腔内。