[发明专利]CMOSMEMS电容式湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种CMOS MEMS电容式湿度传感器，包括具有正面和背面的衬底、设置在所述衬底正面的第一电容电极和第二电容电极及形成在第一电容电极和第二电容电极之间的湿度敏感介质层，所述第一电容电极、第二电容电极和湿度敏感介质层形成敏感器件区，其特征在于：所述CMOS MEMS电容式湿度传感器还包括自所述衬底的背面朝正面延伸形成的若干子空气通道，所述衬底包括形成在相邻两个所述子空气通道之间的支撑柱，若干所述子空气通道位于所述湿度敏感介质层的正投影内，所述支撑柱支撑所述敏感器件区，所述CMOS MEMS电容式湿度传感器还包括淀积在所述衬底正面的氧化层及自所述若干子空气通道向上延伸贯穿氧化层形成的填充腔，所述湿度敏感介质层延伸至所述填充腔内。

2.根据权利要求1所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一电容电极包括呈梳齿状的第一本体和自第一本体的末端向外延伸形成的第一压焊点，所述第二电容电极包括与第一本体交错设置且呈梳齿状的第二本体和自第二本体的末端向外延伸形成的第二压焊点。

3.根据权利要求1所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一电容电极、第二电容电极为多晶硅电极或者铝电极。

4.根据权利要求1所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述湿度敏感介质层为由聚酰亚胺淀积形成。

5.根据权利要求1所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：若干所述子空气通道相连通以形成总空气通道，所述总空气通道的截面形状呈蛇形。

6.一种CMOS MEMS电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：提供具有正面和背面的衬底；

S2：在衬底的正面淀积形成多晶硅层或铝层，刻蚀所述多晶硅层或铝层以形成第一电容电极和第二电容电极；

S3：在所述第一电容电极和第二电容电极之间形成湿度敏感介质层；

S4：在衬底的背面形成光刻胶图形，以露出部分衬底，按照所述光刻胶图形刻蚀所露出的衬底以形成若干子空气通道，所述若干子空气通道之间具有由未被刻蚀的衬底部分所形成的支撑柱，所述子空气通道位于所述湿度敏感介质层的正投影内。

7.根据权利要求6所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于：在所述步骤S1中还包括：在所述衬底的正面上生长一层氧化层；在所述步骤S2中，所述多晶硅层或铝层淀积形成在氧化层上；所述步骤S2和步骤S3之间还包括S21：在氧化层上根据第一电容电极和第二电容电极的形状形成光刻胶图形，以露出部分氧化层，按照光刻胶图形腐蚀所露出的氧化层以形成填充腔；在所述步骤S3中，所形成的湿度敏感介质层延伸至填充腔内。

8.根据权利要求6所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于：若干所述子空气通道相连通以形成总空气通道，所述总空气通道的截面形状呈蛇形。

9.根据权利要求6所述的CMOS MEMS电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述湿度敏感介质层的材料为聚酰亚胺。