[发明专利]存储器结构有效

专利信息
申请号: 201510087812.9 申请日: 2015-02-26
公开(公告)号: CN105990366B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 李冠儒 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582;G11C16/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种设置于一基底上的存储器结构。该存储器结构包含:多个字线、具有多条第一导电体的第一位垫、第一介电层、第一位线、多个导电岛,以及多个串行选择导线。字线沿第一方向平行设置于基板上。第一导电体与第二方向平行,其中这些第一导电体均穿过各字线。第一介电层形成于第一导电体和字线的交错处间。第一位线依序沿第二方向和第一方向延伸。各该串行选择导线分别电连接于各该导电岛,其中串行选择导线是沿第二方向延伸至存储器结构外。
搜索关键词: 存储器 结构
【主权项】:
1.一种存储器结构,设置于一基板上,该存储器结构包含:多个字线,沿一第一方向平行设置于该基板上;一第一位垫,包含与一第二方向平行的多条第一导电体,其中这些第一导电体穿过各字线;一第一介电层,形成于这些第一导电体和这些字线的交错处间;一第一位线,电连接于该第一位垫,其是依序沿该第二方向和该第一方向延伸;多个导电岛,设置在该第一位垫的一侧,并与这些第一导电体彼此交错;以及多个串行选择导线,分别电连接于各该导电岛,其中这些串行选择导线是沿该第二方向延伸至该存储器结构外。
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