[发明专利]存储器结构有效
申请号: | 201510087812.9 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN105990366B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 李冠儒 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582;G11C16/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种设置于一基底上的存储器结构。该存储器结构包含:多个字线、具有多条第一导电体的第一位垫、第一介电层、第一位线、多个导电岛,以及多个串行选择导线。字线沿第一方向平行设置于基板上。第一导电体与第二方向平行,其中这些第一导电体均穿过各字线。第一介电层形成于第一导电体和字线的交错处间。第一位线依序沿第二方向和第一方向延伸。各该串行选择导线分别电连接于各该导电岛,其中串行选择导线是沿第二方向延伸至存储器结构外。 | ||
搜索关键词: | 存储器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种存储器结构,设置于一基板上,该存储器结构包含:多个字线,沿一第一方向平行设置于该基板上;一第一位垫,包含与一第二方向平行的多条第一导电体,其中这些第一导电体穿过各字线;一第一介电层,形成于这些第一导电体和这些字线的交错处间;一第一位线,电连接于该第一位垫,其是依序沿该第二方向和该第一方向延伸;多个导电岛,设置在该第一位垫的一侧,并与这些第一导电体彼此交错;以及多个串行选择导线,分别电连接于各该导电岛,其中这些串行选择导线是沿该第二方向延伸至该存储器结构外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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