[发明专利]一种MEMS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510084495.5 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105984836B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李卫刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制作方法，所述方法包括：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的器件层；在所述MEMS晶圆正面形成具有开口的缓冲层，其中，所述缓冲层的厚度大于所述图案化的器件层的厚度，所述开口暴露所述图案化的器件层；在所述缓冲层上形成保护层，其中所述保护层的底部与所述图案化的器件层的顶部不接触；反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺。根据本发明的制作方法，由于作为保护层的胶带的粘性面不与图案化的器件层接触，在去除所述胶带的过程中不会对所述图案化的器件层造成影响，改善了MEMS器件在去除胶带(Detape)工艺中产生损伤的现象，保护了器件，提高了所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的器件层；步骤S2：在所述MEMS晶圆正面形成具有开口的缓冲层，其中，所述缓冲层的厚度大于所述图案化的器件层的厚度，所述开口暴露所述图案化的器件层；步骤S3:在所述缓冲层上形成保护层，其中所述保护层的底部与所述图案化的器件层的顶部不接触；步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺。
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