[发明专利]集成电路融和MEMS传感器制造方法在审
| 申请号： | 201510082377.0 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105984830A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 田晓丹 | 申请（专利权）人： | 水木智芯科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;G01C25/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王新生 |
| 地址： | 102206 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路融和MEMS传感器及其制造方法，包括集成电路及MEMS传感器，所述集成电路顶部键和于MEMS传感器底部，所述集成电路的至少一个键和区域设有用以电性连接MEMS传感器的窗口金属块，从所述MEMS传感器向所述窗口金属块位置成形有金属垂直通道，所述金属垂直通道顶部连接MEMS传感器的金属互联窗口。本发明将MEMS传感器的金属互联窗口与集成电路的键和区域融合在一起，能够缩小器件的面积，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 融和 mems 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路融和MEMS传感器的结构，包括集成电路及MEMS传感器，其特征在于，所述集成电路顶部键和于MEMS传感器底部，所述集成电路的至少一个键和区域设有用以电性连接MEMS传感器的窗口金属块，从所述MEMS传感器向所述窗口金属块位置成形有金属垂直通道，所述金属垂直通道侧表面覆盖有绝缘保护层，所述金属垂直通道顶部连接MEMS传感器的金属互联窗口。
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