[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供包括多数个区块的基底。各区块分别包括交替排列的第一区以及第二区。在基底上形成多数个复合层。图案化最顶层的复合层，以在基底的第一区上形成多数个复合块。依序对区块上的复合层以及复合块进行移除制作工艺，以在基底上形成阶梯结构。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括多数个区块，各该些区块分别包括一第一区与一第二区，该些第一区以及该些第二区交替排列；在该基底上形成多数个复合层；图案化最顶层的该复合层，以在该基底的该些第一区上形成多数个复合块；依序对该些区块上的该些复合层以及该些复合块进行一移除制作工艺，以在该基底上形成一阶梯结构，其中依序对该些区块上的该些复合层以及该些复合块进行该移除制作工艺的方法包括：在该基底上形成一光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层覆盖一个区块上的该些复合层以及该复合块；以及移除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该些复合层以及该些复合块，以在该基底上形成该阶梯结构；重复进行该移除制作工艺，其中每重复一次该移除制作工艺，该光致抗蚀剂层多覆盖一个区块上的该些复合层。