[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201510069812.6 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN104900665B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 马场公一;场色正昭;江尻洋一 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 梁兴龙;曹正建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种可以针对各区域控制半导体基板的表面上的具有悬空键终端效应的原子的浓度并可以抑制半导体基板尺寸增大的半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备,所述半导体装置包括:第一半导体基板和第一原子扩散防止部,第一原子扩散防止部配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散。
搜索关键词: 半导体装置 半导体基板 原子扩散 电子设备 终端效应 悬空键 尺寸增大 区域控制 制造 配置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一半导体基板;第一原子扩散防止部,第一原子扩散防止部配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散,第一原子供给膜,第一原子供给膜配置在第一半导体基板的整个表面上并构造成供给原子,和第二半导体基板,第二半导体基板构造成提供与第一半导体基板的功能不同的功能,其中第一半导体基板和第二半导体基板经由第一原子供给膜层叠在一起。
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