[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201510069812.6 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN104900665B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 马场公一;场色正昭;江尻洋一 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 梁兴龙;曹正建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体装置 半导体基板 原子扩散 电子设备 终端效应 悬空键 尺寸增大 区域控制 制造 配置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一半导体基板;

第一原子扩散防止部,第一原子扩散防止部配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散,

第一原子供给膜,第一原子供给膜配置在第一半导体基板的整个表面上并构造成供给原子,和

第二半导体基板,第二半导体基板构造成提供与第一半导体基板的功能不同的功能,其中

第一半导体基板和第二半导体基板经由第一原子供给膜层叠在一起。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

第一原子扩散防止部构造成覆盖在第一半导体基板上形成的有源元件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中

第一原子扩散防止部配置在所述有源元件的栅电极上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

第一原子扩散防止部构造成覆盖具有在第一半导体基板上形成的有源元件的电路。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

第一原子扩散防止部具有通孔、配线和接触件,以及

所述通孔、所述配线和所述接触件中的至少一个具有由构造成存储原子的原子存储合金制成的金属膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中

第一原子扩散防止部与第一半导体基板连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

配置在第二半导体基板的整个表面上并构造成供给原子的第二原子供给膜,其中

第一半导体基板和第二半导体基板经由第一原子供给膜和第二原子供给膜层叠在一起。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

配置在第一半导体基板和第二半导体基板中的一个的整个表面上并构造成防止原子扩散的第二原子扩散防止部,其中

第一半导体基板和第二半导体基板经由第一原子供给膜和第二原子扩散防止部层叠在一起。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

第一半导体基板具有构造成拾取图像的像素区域,以及

第二半导体基板具有构造成对通过图像拾取产生的信号进行信号处理的逻辑电路。

10.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

构造成提供与第一半导体基板和第二半导体基板的功能不同的功能的第三半导体基板;以及

配置在第三半导体基板的整个表面上并构造成供给原子的第二原子供给膜,其中

第二半导体基板和第三半导体基板经由第二原子供给膜层叠在一起。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中

第一半导体基板具有构造成拾取图像的像素区域,

第二半导体基板具有构造成对通过图像拾取产生的信号进行信号处理的信号处理单元,以及

第三半导体基板具有构造成存储所述信号的存储单元。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

在第一半导体基板上形成的第一配线层;和

在第二半导体基板上形成的第二配线层,其中

第一半导体基板和第二半导体基板以使第一配线层和第二配线层彼此对向的方式层叠在一起。

13.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

在第一半导体基板上形成的第一配线层;和

在第二半导体基板上形成的第二配线层,其中

第一半导体基板和第二半导体基板以使第一配线层朝向第一半导体基板的方向与第二配线层朝向第二半导体基板的方向一致的方式层叠在一起。

14.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

所述原子包括氢。

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