[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备

说明书

本发明公开了一种可以针对各区域控制半导体基板的表面上的具有悬空键终端效应的原子的浓度并可以抑制半导体基板尺寸增大的半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备，所述半导体装置包括：第一半导体基板和第一原子扩散防止部，第一原子扩散防止部配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散。

相关申请的交叉参考

本申请要求享有于2014年3月3日提交的日本在先专利申请JP2014-040388的权益，其全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备，具体地，涉及一种在针对各区域控制半导体基板的表面上具有悬空键终端效应的原子的浓度的情况下能够抑制半导体基板尺寸增大的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备。

背景技术

在诸如CCD(电荷藕合器件)或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态图像拾取元件中，重要的是减少导致图像质量劣化的半导体基板的表面上的暗电流。

暗电流的产生原因在于，由于在固态图像拾取元件的制造过程中通过诸如CVD(化学气相沉积)和干法刻蚀等等离子体处理而受到诸如充电和UV照射等等离子体损伤，从而使半导体基板的界面能级增大。

据此，已设计出一种通过利用在器件界面上具有悬空键终端效应的诸如氢和氟等原子来降低界面能级以减少暗电流的方法。

例如，已设计出一种将氢从钝化膜(SiN膜)脱离并使其与光电二极管(即，半导体基板的光接收元件)的表面上的悬空键结合以减少表面上的暗电流的方法。

然而，根据该方法，氢被供给到具有像素部和周边电路部的半导体基板的整个表面上。因此，当确保像素部中的氢供给量时，供给到周边电路部的微细晶体管的氢量变得过量。这导致在半导体基板的表面(器件界面)侧的氢剩余以及HCI(热载流子注入)和NBTI(负偏压温度不稳定性)耐性的劣化。

为了解决这个问题，已提出一种使像素部和周边电路部中的作为氢供给源的钝化膜的剩余氢量不同而能够独立控制供给到半导体基板的表面的氢量的方法(例如，参照日本专利申请特开No.2009-188068)。

然而，根据日本专利申请特开No.2009-188068的方法，很难控制在离像素部和周边电路部之间的边界不是很远的区域中钝化膜的剩余氢量。因此，不能配置氢供给量被理想控制的有源元件等，这导致半导体基板尺寸的增大。

发明内容

鉴于以上情况完成了本公开，因此希望在针对各区域控制半导体基板的表面上的具有悬空键终端效应的原子的浓度的情况下抑制半导体基板尺寸的增大。

根据本公开的实施方案，提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一半导体基板和第一原子扩散防止部，第一原子扩散防止部配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散。

在本公开的上述实施方案中，设置了第一半导体基板和配置在第一半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散的第一原子扩散防止部。

根据本公开的另一个实施方案，提供了一种半导体装置的制造方法。所述方法包括形成半导体基板和形成原子扩散防止部，所述原子扩散防止部配置在所述半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散。

在本公开的上述实施方案中，形成了半导体基板和配置在半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散的原子扩散防止部。

根据本公开的另一个实施方案，提供了一种电子设备。所述电子设备包括半导体基板和原子扩散防止部，所述原子扩散防止部配置在所述半导体基板的一部分上并构造成防止具有悬空键终端效应的原子扩散。