[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510066898.7 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104867978A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 伊奈务;冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，根据本发明能够提高半导体装置的电特性。半导体装置是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，具备半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在上述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在上述第一N型半导体层上；第二N型半导体层，其层叠在上述P型半导体层上；以及槽部，其贯通上述第二N型半导体层和上述P型半导体层到达上述第一N型半导体层，上述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直偏±15°以下，上述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，具备：半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在所述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在所述第一N型半导体层上；第二N型半导体层，其层叠在所述P型半导体层上；以及槽部，其贯通所述第二N型半导体层和所述P型半导体层到达所述第一N型半导体层，所述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直±15°以下，所述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。
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