[发明专利]纳米尺度的微细图形加工方法在审
| 申请号： | 201510061917.7 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN104597724A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王冠亚;张凯;谢常青;李新涛;李友;张卫红;张建宏;邵鑫;路程;牛洁斌;张培文;刘明;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第一光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以上的线条；在衬底的材料层上形成第二光刻胶；使用电子束曝光机，将1微米以下图形曝光至第二光刻胶，显影成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以下的线条。依照本发明的纳米尺度的微细图形加工方法，针对1微米以上图形和1微米以下图形分别执行激光直写曝光和电子束曝光，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺度 微细 图形 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第一光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以上的线条；在衬底的材料层上形成第二光刻胶；使用电子束曝光机，将1微米以下图形曝光至第二光刻胶，显影成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以下的线条。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510061917.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种饮水机控制装置
- 下一篇：望远夜视装置及探视电筒
