[发明专利]封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201510059415.0 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN105990159A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 陈建铭 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种封装结构及其制作方法,该制作方法包括下列步骤。提供包括核心层、第一及第二图案化金属层的基材。第一及第二图案化金属层分别设置于核心层的相对两表面。形成贯穿基材的贯穿槽。设置基材于胶带载具上。设置半导体元件于贯穿槽内,贯穿槽的内壁与半导体元件的侧表面共同定义出沟槽。涂布填充胶体于沟槽上方。进行加热制作工艺以使填充胶体往靠近胶带载具的方向流动而全面性填充沟槽。压合第一叠构层于第一图案化金属层上。第一叠构层覆盖至少部分半导体元件。移除胶带载具。压合第二叠构层于第二图案化金属层上。第二叠构层覆盖至少部分半导体元件。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种封装结构的制作方法,包括:提供基材,该基材包括核心层、第一图案化金属层以及第二图案化金属层,该第一图案化金属层以及该第二图案化金属层分别设置于该核心层的相对两表面上;形成贯穿槽以贯穿该基材;设置该基材于胶带载具上;设置半导体元件于该贯穿槽内并位于该胶带载具上,该贯穿槽的内壁与该半导体元件的侧表面共同定义出沟槽;涂布填充胶体于该沟槽的上方;进行加热制作工艺,以使该填充胶体往靠近该胶带载具的方向流动而全面性填充该沟槽;往靠近该第一图案化金属层的方向压合第一叠构层于该基材上,该第一叠构层覆盖至少部分该半导体元件;移除该胶带载具;以及往靠近该第二图案化金属层的方向压合第二叠构层于该基材上,该第二叠构层覆盖至少部分该半导体元件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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