[发明专利]一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510057890.4 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104701364B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 叶念慈;徐宸科;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/43;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述栅极是由导电类钻碳(Diamond‑like carbon；DLC)制成，所述导电DLC中，sp2键的含量大于50％。本发明用类钻碳作为栅极材料降低了栅极区域的自发性热效应，提高稳定性，同时利用掺杂类钻碳的方式调整栅极阻值与极性，实现增强型工作的目的。本发明还公开了上述晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其特征在于：所述栅极是由导电类钻碳(Diamond‑like carbon；DLC)制成，所述导电DLC中，sp2键的含量大于50％；所述导电DLC是p型掺杂DLC，掺杂有小于5wt％的硼(B)、铝(Al)、铟(In)中的一种或其组合。
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