[发明专利]一种改进的三维芯片集成结构及其加工工艺有效
| 申请号： | 201510046270.0 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104617072B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 靖向萌 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/535;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改进的三维芯片集成结构，其结构简单，制造工艺要求低，进一步减小了芯片的封装体积，同时减少了TSV制造工艺步骤，较好地降低了工艺成本，本发明同时还提供了一种三维芯片集成结构加工工艺，其包括基板，其特征在于：转接板通过焊球或者凸点连接所述基板，上方芯片通过第一金属焊盘或者第一凸点连接所述转接板，所述上方芯片通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连，所述基板上设置有金属柱结构，所述上方芯片通过第三金属焊盘或者第三凸点连接所述金属柱结构，本发明同时提供了一种改进的三维芯片集成结构加工工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 三维 芯片 集成 结构 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改进的三维芯片集成结构，其包括基板，其特征在于：第一上方芯片和第二上方芯片分别通过第一金属焊盘或者第一凸点连接第一转接板和第二转接板，所述第一转接板和第二转接板分别通过焊球或者凸点连接所述基板，所述第一上方芯片一端和第二上方芯片中与第一上方芯片相对端通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连，所述第一上方芯片和所述第二上方芯片分别通过第三金属焊盘连接第一金属柱结构和第二金属柱结构，所述第一金属柱结构和所述第二金属柱结构连接所述基板，所述第一上方芯片通过第一转接板、第一金属柱结构和下方芯片三点连接，所述第二上方芯片通过第二转接板、第二金属柱结构和下方芯片三点连接。
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