[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510044141.8 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105990111B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 谢志勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。其中，该制作方法包括：形成半导体基体，半导体基体包括栅极，形成于栅极的侧壁上的侧壁层，以及形成于栅极的上表面上的硬掩膜层；形成覆盖侧壁层和硬掩膜层的介质层，并对介质层进行等离子体灰化处理以形成钝化预备层；以及进行刻蚀至去除位于栅极的上表面上的硬掩膜层和钝化预备层，并将位于侧壁层上的剩余钝化预备层作为钝化层。该制作方法通过对介质层进行等离子体灰化处理以形成钝化预备层，降低了在刻蚀去除位于栅极的上表面上的硬掩膜层和钝化预备层的步骤中钝化预备层被刻蚀掉的几率，即降低了在半导体器件的制作过程中位于侧壁层上的钝化层被刻蚀掉的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，所述半导体基体包括栅极，形成于所述栅极的侧壁上的侧壁层，以及形成于所述栅极的上表面上的硬掩膜层；形成覆盖所述侧壁层和硬掩膜层的介质层，并对所述介质层进行等离子体灰化处理以形成钝化预备层；以及进行刻蚀至去除位于所述栅极的上表面上的所述硬掩膜层和所述钝化预备层，并将位于所述侧壁层上的剩余所述钝化预备层作为钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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