[发明专利]一种半导体元器件解焊方法有效
申请号: | 201510042332.0 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN105983743A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 龚慧兰 | 申请(专利权)人: | 泓准达科技(上海)有限公司 |
主分类号: | B23K1/018 | 分类号: | B23K1/018 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体元器件解焊方法,所述半导体元器件解焊方法包括以下步骤:将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内;设置加热源并同时加热;使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离;将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊,并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞,上述步骤能够实现样品处理高效率,可连续多次处理样品,并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率,另外,上述步骤安全性高,因为解焊温度和距离都可调控,改变了物理性分离技术中如操作不慎会造成样品损伤的情形,利用在高温下膨胀产生的推力,使得解焊分离过程更安全。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 元器件 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元器件解焊方法,其特征在于,所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤:将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内;设置加热源并同时加热;使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离;将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊,并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泓准达科技(上海)有限公司,未经泓准达科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510042332.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钢管的焊前预热工艺
- 下一篇:斜度放电工具