[发明专利]一种半导体元器件解焊方法有效

专利信息
申请号: 201510042332.0 申请日: 2015-01-28
公开(公告)号: CN105983743A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 龚慧兰 申请(专利权)人: 泓准达科技(上海)有限公司
主分类号: B23K1/018 分类号: B23K1/018
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种半导体元器件解焊方法,所述半导体元器件解焊方法包括以下步骤:将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内;设置加热源并同时加热;使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离;将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊,并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞,上述步骤能够实现样品处理高效率,可连续多次处理样品,并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率,另外,上述步骤安全性高,因为解焊温度和距离都可调控,改变了物理性分离技术中如操作不慎会造成样品损伤的情形,利用在高温下膨胀产生的推力,使得解焊分离过程更安全。
搜索关键词: 一种 半导体 元器件 方法
【主权项】:
一种半导体元器件解焊方法,其特征在于,所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤:将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内;设置加热源并同时加热;使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离;将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊,并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。
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