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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种IC芯片发热探测装置-CN202010873040.2在审
发明人：秦丹;龚慧兰;刘者 -专利权人： 泓准达科技(上海)有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC芯片发热探测装置，包括气悬台，气悬台的上部靠近前部位置固定安装有立柱，所述立柱的顶端固定安装有防护板，所述气悬台的上部靠近后部位置固定安装有支撑台，所述气悬台的上部位于防护板的内侧通过载台调节机构活动安装有芯片载台，所述载台调节机构包括有固定台、X方向滑台、Y方向滑台、X方向护罩、X方向手柄、Y方向护罩、Y方向手柄和Y方向丝杆。本发明所述的一种IC芯片发热探测装置，首先能够方便调节芯片载台的位置，而且具备X方向和Y方向的两个方向调节功能，提高适用范围，其次，能够方便对芯片进行夹持固定，提高使用的便捷性，此外，能够方便调节热成像摄像机的高低度以及角度，实用性更高。
一种 ic 芯片发热探测装置

[发明专利]一种柔性铁电存储器及其制备方法-CN201510042251.0在审
发明人：龚慧兰 -专利权人： 泓准达科技(上海)有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铁电存储器及其制备方法，所述柔性铁电存储器包括：在柔性衬底层上设置单晶硅纳米薄膜沟道层，在单晶硅纳米薄膜沟道层上设置源电极与漏电极、在源电极与漏电极上设置的阻挡层、在阻挡层上设置的铁电聚合物层，在铁电聚合物层上设置门电极，本发明还提供一种制备柔性铁电存储器的方法，本发明提供的一种柔性铁电存储器及其制备方法，上述结构的柔性铁电存储器能在150℃之下制备，制备好的柔性铁电存储器在偏置电压下表现出良好的开关状态，开关电压约4±V，开关比约200倍，符合存储器要求，在经过多次弯曲后，仍可保持良好的存储性能，具有高可靠性。
一种柔性存储器及其制备方法

[发明专利]一种半导体元器件解焊方法-CN201510042332.0有效
发明人：龚慧兰 -专利权人： 泓准达科技(上海)有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： B23K1/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元器件解焊方法，所述半导体元器件解焊方法包括以下步骤：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞，上述步骤能够实现样品处理高效率，可连续多次处理样品，并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率，另外，上述步骤安全性高，因为解焊温度和距离都可调控，改变了物理性分离技术中如操作不慎会造成样品损伤的情形，利用在高温下膨胀产生的推力，使得解焊分离过程更安全。
一种半导体元器件方法

[实用新型]一种芯片失效点定位装置-CN201520059975.1有效
发明人：龚慧兰 -专利权人： 泓准达科技(上海)有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片失效点定位装置，所述芯片失效点定位装置包括样品固定台、基座，所述样品固定台固定连接在所述基座上，所述样品固定台包括上盖、开口矩形凹槽，所述上盖上表面设有开口，沿开口竖直向下设有与所述开口矩形凹槽形状相匹配的压合梁，所述压合梁内部为中空结构，所述压合梁底部上表面设置有坐标刻度点和方向标，所述上盖活动连接在开口矩形凹槽顶部边缘处，所述开口矩形凹槽底部设置有接触排针，所述开口矩形凹槽底部与所述基座连接处设置有和接触排针相连接的接线端口。上述结构的芯片失效点定位装置能够为FIB提供精确的芯片失效点位置，可直接根据定位好的失效点坐标进行切片。
一种芯片失效定位装置

[实用新型]一种柔性铁电存储器-CN201520058436.6有效
发明人：龚慧兰 -专利权人： 泓准达科技(上海)有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性铁电存储器，所述柔性铁电存储器包括：在柔性衬底层上设置单晶硅纳米薄膜沟道层，在单晶硅纳米薄膜沟道层上设置源电极与漏电极、在源电极与漏电极上设置的阻挡层、在阻挡层上设置的铁电聚合物层，在铁电聚合物层上设置门电极，上述结构的柔性铁电存储器在偏置电压下表现出良好的开关状态，开关电压约4±V，开关比约200倍，符合存储器要求，在经过多次弯曲后，仍可保持良好的存储性能，具有高可靠性。
一种柔性存储器

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