[发明专利]用于芯片切割过程的保护结构有效
| 申请号： | 201510033783.8 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870069B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赵耀斌;戴海波;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于芯片切割过程的保护结构。该芯片具有密封环，该保护结构位于密封环外侧的介质层中且围绕密封环设置，包括多层依次叠置在芯片的衬底上的金属层，相邻金属层中位于上方的金属层为上金属层，位于下方的金属层为下金属层，上金属层具有沿下金属层的侧表面向下延伸的侧面包裹部。相邻各金属层之间采用包裹的方式连接，当切割应力以及裂缝沿介质材料传播至此时，切割应力和裂缝的传播线路被金属阻挡，进而有效地避免了切割造成的芯片中先进制程的结构受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 切割 过程 保护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于芯片切割过程的保护结构，所述芯片具有密封环(1)，其特征在于，所述保护结构位于所述密封环(1)外侧的介质层中且围绕所述密封环(1)设置，包括：多层依次叠置在所述芯片的衬底(100)上的金属层(200)，相邻金属层(200)中位于上方的金属层为上金属层(201)，位于下方的金属层为下金属层(202)，所述上金属层(201)具有沿所述下金属层(202)的侧表面向下延伸的侧面包裹部，所述上金属层(201)的侧面为平面，且所述上金属层的平行于所述密封环(1)的侧面间距为L1，所述下金属层(202)的侧面为平面，且所述下金属层的平行于所述密封环(1)的侧面间距为L2，(L1‑L2):L1＝1:7～1:3。
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