[发明专利]一种介孔结构铜铟硫光电薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于铜铟硫光电薄膜技术领域，具体涉及一种介孔结构铜铟硫光电薄膜及其制备方法。本发明将其他光电材料的前驱液灌入铜铟硫的孔洞中后退火，可以生成一种体异质结，将铜铟硫光电薄膜做成介孔结构，可以提高相应两种材料的接触面积，有利于激子的分离，这样可以提升光电器件的性能，使其能够应用于铜铟硫‑相关的太阳能电池并能改善电池的性能。

主权项

一种制备介孔结构铜铟硫光电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将切好的ITO导电玻璃清洗，得到洁净的ITO基片；2）称取0.11mmol碘化亚铜、0.1mmol醋酸铟、0.5mmol硫脲，共同溶于1.2ml甲胺与0.08ml丙酸组成的混合溶液中，配置成铜铟硫前驱体溶液；3）取0.08ml步骤2）配置好的铜铟硫前驱体溶液，滴到步骤1）清洗后的ITO基片上，而后匀胶，最后将匀胶好的ITO基片放到热台上，氮气环境下退火，ITO基片上得到一层致密的铜铟硫薄膜，基片记为ITO/compact‑CuInS2；4）按步骤2）中的原料用量比例配制铜铟硫前驱体溶液200ml，向其中混入三氧化二铝纳米粒异丙醇悬浊液200ml形成混合液，而后将此混合液磁力搅拌至其充分混合；三氧化二铝纳米粒的平均粒径为50nm，三氧化二铝纳米粒异丙醇悬浊液的浓度为20wt%；5）取步骤4）的混合液0.08ml滴到步骤3）得到的基片上并匀胶，而后退火，ITO基片上得到掺杂有三氧化二铝的铜铟硫光电薄膜，基片记为ITO/compact‑CuInS2/hybrid‑ CuInS2；6）将步骤5）得到的基片放入氢氧化钠水溶液中浸泡，氢氧化钠水溶液的浓度为0.2mol/L，浸泡时间为30分钟，取出后用去离子水清洗，而后将其放到热台上氮气环境下烘干，即得到具有介孔结构的铜铟硫光电薄膜，基片记为ITO/compact‑CuInS2/mesoporous‑CuInS2。