[发明专利]半导体器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510024294.6 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN105845577A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成具有第一开口的覆盖层，第一开口暴露半导体衬底栅极形成区域，栅极形成区域包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的沟道中心区域，第一区域为待形成的栅极与待形成的源极的重叠区，第二区域为待形成的栅极与待形成的漏极的重叠区；在第一开口内形成栅极氧化层；在栅极氧化层上形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中分别形成源极和漏极，其中，栅极氧化层在第一区域和第二区域的厚度大于沟道中心区域的厚度。本发明的半导体器件结构的制作方法可以避免在栅极与源极/漏极之间的重叠处产生GIDL电流的同时，保证沟道中心区域的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成具有第一开口的覆盖层，所述第一开口暴露所述半导体衬底栅极形成区域，所述栅极形成区域包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道中心区域，所述第一区域为待形成的栅极与待形成的源极的重叠区，所述第二区域为所述待形成的栅极与待形成的漏极的重叠区；在所述第一开口内形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上形成栅极；在所述栅极两侧的半导体衬底中分别形成源极和漏极，其中，所述栅极氧化层在所述第一区域和所述第二区域的厚度大于所述沟道中心区域的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
