[发明专利]一种MEMS器件制备方法有效
| 申请号： | 201510021534.7 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105848075B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 何昭文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述器件包括半导体衬底；背板，位于所述半导体衬底的上方，其中所述背板中设置有若干相间隔的穿孔；振膜，位于所述背板上方；牺牲层，位于所述振膜和所述背板之间；其中，所述振膜与所述背板之间形成有空腔，所述空腔下方的所述半导体衬底中形成有若干相间隔的背腔。本发明采用多个背腔设计，背腔之间的间隔作为背板的支撑，这种设置具有以下优点:由于背板受到支撑，其刚度提高，可以减小背板的厚度以减小空气阻尼，MEMS麦克风的信噪比和灵敏度都得到提高；本设计没有增加工艺步骤和工艺难度，只需要更改背腔刻蚀的光照即可；背腔的设计可以灵活更改以满足MEMS麦克风的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：/n步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有背板，其中所述背板中形成有若干相间隔的穿孔；/n步骤S2：沉积牺牲材料层，以覆盖所述背板；/n步骤S3：在所述牺牲材料层上形成振膜；/n步骤S4：在所述振膜上接合操作晶圆；/n步骤S5：反转所述步骤S4中得到元件，并图案化所述半导体衬底，以形成若干相间隔的露出所述背板的背腔，以增加所述背板的刚度，并去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔；/n步骤S6：反转步骤S5中得到的元件，去除所述操作晶圆。/n
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