[发明专利]双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510019324.4 申请日: 2015-01-15
公开(公告)号: CN105845637A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 陈进勇 申请(专利权)人: 瑞鼎科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 11234 代理人: 宋义兴
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法。该双面覆晶薄膜封装结构至少包含一金属层、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一晶片及一封装胶。第一绝缘层是设置于金属层的一第一面且第二绝缘层是设置于金属层的一第二面。第一面与第二面是彼此相对。第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分。第一部分与第二部分之间具有一容置空间并有部分的第一面露出。晶片是容置于容置空间内并设置于露出的部分的第一面上。封装胶填充于晶片与第一部分以及晶片与第二部分之间的空间,以形成双面覆晶薄膜封装结构。
搜索关键词: 双面 薄膜 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种双面覆晶薄膜封装结构,其特征在于,至少包含:一金属层,具有一第一面及一第二面,并且该第一面与该第二面是彼此相对;一第一绝缘层,是设置于该金属层的该第一面上,该第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分,该第一部分与该第二部分之间具有一容置空间并有部分的该第一面露出;一第二绝缘层,是设置于该金属层的该第二面上;一晶片,是容置于该容置空间内并设置于露出的该部分的第一面上;以及一封装胶,是填充于该晶片与该第一部分以及该晶片与该第二部分之间的空间,以形成该双面覆晶薄膜封装结构。
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