[发明专利]一种红外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510010905.1 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104600155A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;廖杨芳;张宝晖;杨云良;肖清泉;梁枫;张晋敏;陈茜;谢晶;范梦慧 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器的制备方法，该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg2Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg2Si薄膜上表面上镀一层上电极，本发明所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的适应性高的元素，即对环境友好的半导体材料；能回收、再生利用、能源消耗少、对环境负荷小的半导体工艺；有助于能源和环境可持续发展的太阳能电池、热电变换元素等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红外探测器的制备方法，其特征在于：该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg2Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg2Si薄膜上表面上镀一层上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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