[发明专利]一种红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器的制备方法，其特征在于：该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg₂Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg₂Si薄膜上表面上镀一层上电极。

2.根据权利要求1所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：所述的衬底采用硅衬底或在衬底上表面镀一层硅膜。

3.根据权利要求1所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：在Mg2Si薄膜上表面度一层减反射层且上电极伸出减反射层。

4.根据权利要求3所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：所述的减反射层为一层SiO₂薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：所述的下电极由电阻式热蒸发方法在硅衬底下表面蒸镀一层铝膜制成。

6.根据权利要求1所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：所述的上电极通过蒸镀Ag膜制成。

7.根据权利要求1所述的一种红外探测器的制备方法，其特征在于：该方法的具体工艺步骤为：

步骤一、清洗衬底，吹干后备用；

步骤二、衬底采用硅衬底时，在硅衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；

步骤三、衬底不采用硅衬底时，先在衬底上表面镀一层硅膜，在衬底的硅膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；

步骤四、将衬底上的Mg膜进行退火处理，得到Mg₂Si薄膜，作为红外辐射的吸收层；

步骤五、在Mg₂Si薄膜上溅射一层减反射层；

步骤六、在衬底下面热蒸发一层铝膜作为下接触电极层；

步骤七、在Mg₂Si薄膜上的预留区域热蒸发一层银膜作为上电极层且该上电极伸出减反射层。

8.一种红外探测器，包括衬底（2），其特征在于：在衬底（2）上表面设置Mg₂Si薄膜（3），Mg₂Si薄膜（3）上表面连接上电极（5），在衬底（2）下表面设置下电极（1）。

9.根据权利要求8所述的一种红外探测器，其特征在于：在Mg₂Si薄膜（3）上表面镀一层减反射层（4），上电极（5）穿过减反射层（4）。