[发明专利]4H-碳化硅基N沟道积累型高压绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明公开的4H-碳化硅基N沟道积累型高压绝缘栅双极晶体管，该器件利用积累沟道替代传统的反型沟道，在P型屏蔽层和栅氧层之间采用N型基区。N型基区的厚度和掺杂浓度在选择上保证了栅极电压为零时该区完全耗尽，从而器件在常态关闭。当栅极电压足够大时，在SiO₂/SiC的界面会形成一个积累沟道，器件开启。由于积累层中的载流子分布与反型层中的载流子相比距离表面更远，我们可以期待积累沟道的有效迁移率更高，因此，利用积累沟道替代传统的反型沟道可以有效的降低4H-SiC基高压N沟道IGBT的微分导通电阻和特定导通电流密度及栅极电压下的导通压降，从而有效的降低器件在导通状态下的能量损耗。

主权项

4H‑碳化硅基N沟道积累型高压绝缘栅双极晶体管，其特征是，包括：4H‑碳化硅基N沟道反型高压绝缘栅双极晶体管，所述4H‑碳化硅基N沟道反型高压绝缘栅双极晶体管的栅氧化层和P型屏蔽区之间的P型基区替换为N型基区，所述N型基区还分别与N发射区和JFET区连接，所述N型基区与栅氧化层之间的界面能产生用于电子通过的积累沟道。