[发明专利]用于化学辅助图案化的光可界定的对准层有效
| 申请号： | 201480083740.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN107004595B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | T·R·扬金;M·J·利森;J·M·布莱克韦尔;E·S·普特纳;M·克雷萨克;R·胡拉尼;E·韩;R·L·布里斯托尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 辅助 图案 界定 对准 | ||
【主权项】：
一种用于形成光可界定的对准层的方法，包括：在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料；以及曝光所述CAR材料的部分以形成经曝光的抗蚀剂部分，其中，所述曝光在所述经曝光的抗蚀剂部分中产生与所述转换组分相互作用的酸，以在所述经曝光的抗蚀剂部分下方形成所述硬掩模的改性区域。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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