[发明专利]半导体退火装置在审
| 申请号： | 201480081818.9 | 申请日： | 2014-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106688080A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 小林和雄;池上雅明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体退火装置具有：腔室；管，其设置于所述腔室的内侧；晶舟，其以能够进退的方式设置在所述管的内侧；装载区域，其是所述晶舟退出至所述管之外时所述晶舟所处的区域；碳氢化合物供给单元，其将碳氢化合物气体供给至所述管的内侧；加热单元，其对所述管的内侧进行加热；以及氧供给单元，其将氧供给至所述管的内侧。所述管及所述晶舟是蓝宝石制、或者通过All－CVD形成的SiC制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体退火装置，其具有：腔室；管，其设置于所述腔室的内侧；晶舟，其以能够进退的方式设置在所述管的内侧；装载区域，其是在所述晶舟退出至所述管之外时所述晶舟所处的区域；碳氢化合物供给单元，其将碳氢化合物气体供给至所述管的内侧；加热单元，其对所述管的内侧进行加热；以及氧供给单元，其将氧供给至所述管的内侧，所述管是蓝宝石制、或者通过All－CVD形成的SiC制，所述晶舟是蓝宝石制、或者通过All－CVD形成的SiC制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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