[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480079154.2 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106415804B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 蔀拓一郎;甲贺和久;立宅聪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在所述衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对所述衬底的温度进行测定，一边在所述元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至所述背面构造而得到所述衬底的红外线辐射率，所述背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与所述第1层相接触，折射率小于所述第1层，在将n设为正的偶数时，将所述成膜工序中的所述第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
