[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480078393.6 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106463388B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山中信明;近森大亮;武藤祥生 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，具有下述工序：在配置于半导体衬底(10)之上的金属膜(41)之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层(60)；由含有所述一个波长区域的光对所述抗蚀层进行曝光；对曝光后的所述抗蚀层进行显影；以及在对所述抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置(80)中，将所述抗蚀层用作掩模对所述金属膜进行湿式蚀刻，所述蚀刻装置设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于所述一个波长的波长被截去后的光(YL)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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