[发明专利]碳化硅单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201480073219.2 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN105917034A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 堀勉;上田俊策;松岛彰 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造方法，其包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离；以及将经历了所述分离步骤的所述碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去。
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