[发明专利]基板加工方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供基板加工方法及半导体装置的制造方法，利用本发明，能够将材料充分地埋入构成通孔、导通孔等的凹部内，同时还沿着凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜。根据本发明的一个实施方式的基板加工方法包括：第一照射步骤，用于利用粒子束从相对于基板面内方向成第一角度的方向照射已经形成于基板的凹部的开口部的沉积膜，并且去除沉积膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步骤之后的第二照射步骤，用于从比第一角度接近垂直于基板面内方向的第二角度的方向进行照射粒子束，并且去除残留的沉积膜的厚度方向上的一部分。

主权项

1.一种基板加工方法，所述基板加工方法对在表面形成有凹部的基板进行加工，在所述基板中，所述凹部的开口部形成有沉积膜，所述沉积膜包括在所述基板的表面上的上沉积膜，所述上沉积膜包括在所述凹部的开口部从所述凹部的侧壁部朝向所述凹部的内侧方向突出的突出部，所述基板加工方法包括：第一照射步骤，其中，利用粒子束沿与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第一角度的方向照射所述突出部，以去除所述突出部的厚度方向上的一部分；和第二照射步骤，其中，在所述第一照射步骤之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更加接近垂直于所述基板的面内方向、并且与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第二角度的方向照射所述突出部，以去除残留的所述突出部的厚度方向上的一部分。