[发明专利]半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法

摘要

本发明的半导体外延晶片(100)的制造方法的特征在于，具有：第一工序，对半导体晶片(10)的表面(10A)照射簇离子(12)，在该半导体晶片的表面部形成上述簇离子的构成元素固溶而成的改性层(14)；第二工序，在上述半导体晶片的改性层(14)上形成外延层(18)；其中，进行上述第一工序，以使上述改性层(14)的厚度方向的一部分成为无定形层(16)，并且使该无定形层(16)的上述半导体晶片表面侧的表面(16A)的平均深度为从上述半导体晶片表面(10A)起20nm以上。

主权项

1.半导体外延晶片，其具有：半导体晶片、形成于该半导体晶片的表面部且规定元素固溶于该半导体晶片中而成的改性层、以及该改性层上的外延层，其特征在于，所述改性层中存在再结晶化区域形成复合簇化的黑点状缺陷，所述黑点状缺陷使用TEM以明亮模式观察所述半导体外延晶片的劈开剖面时作为黑点而被观察到，所述黑点状缺陷的密度为1.0×1010个/cm2以下，所述改性层中不存在黑点相连而成的线状缺陷层。