[发明专利]改进的半导体辐射探测器

摘要

一种半导体辐射探测器器件包括半导体衬底(100)。在衬底的一个表面上具有：MIG层(241)，其是第二导电类型的半导体；势垒层(251)，其是第一导电类型的半导体；以及像素掺杂(921、922)，其是第二导电类型的半导体。像素掺杂被适配为耦合至至少一个像素电压，以创建像素特定的晶体管的源极和漏极。该器件还包括第一导电类型的第一接触，使得所述像素电压是像素掺杂之一与第一导电类型的第一接触之间的电位差。主栅极(983)的位置至少部分地对应于源极和漏极之间的沟道的位置。该器件包括从主栅极(983)水平偏移的至少一个额外栅极(981、982)。

主权项

1.一种半导体辐射探测器器件，包括至少一个像素，其中所述至少一个像素包括半导体衬底并且在所述衬底的一个表面上以以下顺序包括：‑第一层，其是第二导电类型的半导体，以下称为MIG层，‑势垒层，其是第一导电类型的半导体，被配置为在所述器件的操作期间形成用于累积在所述MIG层中的信号电荷的势能势垒，‑像素掺杂，其是所述第二导电类型的半导体，所述像素掺杂被适配为耦合至至少一个像素电压以创建像素特定的晶体管的源极和漏极；其中，所述器件还包括第一导电类型的第一接触和主栅极，所述像素电压被定义为在所述像素掺杂之一与所述第一导电类型的第一接触之间的电位差，并且所述主栅极的位置至少部分地对应于所述源极和所述漏极之间的沟道的位置，其特征在于：‑所述至少一个像素还包括与所述主栅极相邻的至少一个额外栅极，并且所述至少一个额外栅极至少部分地对应于所述源极和所述漏极之间的沟道的位置，并且其中所述至少一个额外栅极在所述第一导电类型和所述第二导电类型的所述半导体材料外部。