[发明专利]热管理电路材料、其制造方法以及由其形成的制品在审

专利信息
申请号: 201480058738.1 申请日: 2014-10-24
公开(公告)号: CN105706231A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 布雷特·W·基尔赫尼 申请(专利权)人: 罗杰斯公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L21/48;H01L33/62;H01L33/64;H05K1/05;H05K3/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;董文国
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种热管理电路材料包括:导热金属芯基底;在金属芯基底的两侧上的金属氧化物介电层;在金属氧化物介电层上的导电金属层;以及填充有导电含金属的芯元件的至少一个通孔通路,所述导电含金属的芯元件连接每一个导电金属层的至少一部分,其中所述通孔通路的围阻壁被金属氧化物介电层覆盖,所述金属氧化物介电层连接在金属芯基底的相反面上的金属氧化物介电层的至少一部分。还公开了制造这样的电路材料的方法,包括通过将金属芯基底的表面部分氧化转变来形成金属氧化物介电层。还公开了具有安装在电路材料中的发热电子器件(例如,HBLED)的制品。
搜索关键词: 管理 电路 材料 制造 方法 以及 形成 制品
【主权项】:
一种能够用于安装电子器件的热管理电路材料,包括:导热金属芯基底;在所述金属芯基底的第一侧上的第一金属氧化物介电层;在所述导热金属芯基底的第二侧上的第二金属氧化物介电基底层,所述金属芯基底的所述第二侧与所述第一侧相反;在所述第一氧化物金属氧化物介电层上的第一导电金属层;在所述第二金属氧化物介电层上的第二导电金属层;填充有导电金属的至少一个通孔通路,所述导电金属形成含金属的芯元件,所述含金属的芯元件电连接所述第一导电金属层和所述第二导电金属层的每一个的至少一部分,其中限定所述通孔通路的壁具有中间金属氧化物介电层,所述中间金属氧化物介电层横向地接合所述第一金属氧化物介电层与所述第二金属氧化物介电层,所述中间金属氧化物介电层使所述通孔通路中的所述含金属的芯元件绝缘于所述导热金属芯基底;其中所述第一金属氧化物介电层、所述第二金属氧化物介电层和所述中间金属氧化物介电层通过包括使所述金属芯基底的表面部分氧化的工艺制成,并且其中所述第一金属氧化物介电层、所述第二金属氧化物介电层和所述中间金属氧化物介电层共同地形成所述导热金属芯基底的金属氧化物绝缘体。
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