[发明专利]使用远程等离子体CVD技术的低温氮化硅膜有效
| 申请号： | 201480057976.0 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105659366B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | A·查特吉;A·B·玛里克;N·K·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 远程 等离子体 cvd 技术 低温 氮化 | ||
【主权项】：
一种方法，包含下列步骤：在低于300摄氏度的沉积温度下，通过远程等离子体化学气相沉积工艺在基板上形成氮化硅层，其中所述远程等离子体化学气相沉积工艺利用处理气体混合物，其中所述处理气体混合物包括：三(二甲胺基)硅烷、二氯硅烷、三硅烷胺(trisilylamine)、双叔丁基胺基硅烷、六氯二硅烷或六甲基环三硅氮烷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
