[发明专利]GaN模板基板和器件基板有效
| 申请号： | 201480057318.1 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105745366B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 市村干也;仓冈义孝;滑川政彦 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。 | ||
| 搜索关键词： | gan 模板 器件 | ||
【主权项】：
1.一种GaN模板基板，其特征在于，包括：由蓝宝石形成的基底基板，在所述基底基板上形成的包括GaN的缓冲层，以及在所述缓冲层上外延生长而形成的第1GaN层，在对所述第1GaN层进行拉曼分光测定而得到的拉曼光谱中，波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，所述第1GaN层被形成为厚度1μm～5μm。
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