[发明专利]用于半导体目标的度量的差分方法及设备有效
| 申请号： | 201480054894.0 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105684127B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫;安德烈·V·舒杰葛洛夫 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于确定半导体结构的工艺参数或结构参数的设备及方法。从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号。所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，且所述经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数POI的信息及关于形成于此顶部结构下方的一或多个底层的一或多个底层参数的信息。产生特征提取模型以从此类经获取的光学信号提取多个特征信号使得所述特征信号含有用于所述POI的信息且排除用于所述底层参数的信息。基于通过所述特征提取模型提取的所述特征信号来确定每一区段的每一顶部结构的POI值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 目标 度量 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种确定用于半导体结构的工艺参数或结构参数的方法，所述方法包括：从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号，其中所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，其中经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数POI的信息及关于形成于此顶部结构下方的一或多个底层的一或多个底层参数的信息；产生特征提取模型以从此类经获取的光学信号提取多个特征信号使得所述特征信号含有用于所述POI的信息且排除用于所述底层参数的信息；以及基于通过所述特征提取模型提取的所述特征信号来确定每一区段的每一顶部结构的POI值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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