[发明专利]用于半导体目标的度量的差分方法及设备

权利要求书

1.一种确定用于半导体结构的工艺参数或结构参数的方法，所述方法包括：

从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号，其中所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，其中经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数POI的信息及关于形成于此顶部结构下方的一或多个底层的一或多个底层参数的信息；

产生特征提取模型以从此类经获取的光学信号提取多个特征信号使得所述特征信号含有用于所述POI的信息且排除用于所述底层参数的信息；以及

基于通过所述特征提取模型提取的所述特征信号来确定每一区段的每一顶部结构的POI值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述特征提取模型包含对所述经获取的光学信号执行数据集缩减技术以产生经变换的光学信号数据，及产生所述特征提取模型以从所述经变换的光学信号数据提取所述特征信号。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述经变换的光学信号数据为所述经获取的光学信号的线性组合。

4.根据权利要求2所述的方法，其中使用主分量分析PCA、核PCA kPCA、非线性PCANLPCA、独立分量分析ICA或局部线性嵌入LLE算法来完成所述数据集缩减技术。

5.根据权利要求2所述的方法，其中使用主分量分析PCA技术来完成所述数据集缩减技术且所述经变换的光学信号表示相对于由所述PCA技术所引起的第一主分量的所述经获取的光学信号。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过训练参数模型以基于所述特征信号确定每一顶部结构的所述POI值来完成确定所述POI，所述方法进一步包括：

从一或多个后续晶片上的多个未知结构获取多个光学信号；以及

使用所述特征提取模型及所述参数模型以确定所述未知结构的多个POI值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述经获取的光学信号包含来自每一区段中的一或多个第一目标的第一组经获取信号及来自每一区段中的一或多个第二目标的第二组经获取信号，其中所述一或多个第一目标具有顶层结构及底层结构且所述一或多个第二目标具有与所述一或多个第一目标相同的底层结构但排除所述一或多个第一目标的所述顶层结构，其中所述特征提取模型使用残余信号依据所述第二组经获取信号而预测所述第一组经获取信号中的每一者，针对所述第一组经获取信号确定的所述残余信号经定义为所述特征信号。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述经获取的光学信号包含来自每一区段中的一或多个第一目标的第一组经获取信号及来自每一区段中的一或多个第二目标的第二组经获取信号，其中所述一或多个第一目标具有顶层结构及底层结构且所述一或多个第二目标具有与所述一或多个第一目标相同的顶层结构但具有与所述一或多个第一目标不同的底层，所述特征提取模型使用残余信号依据所述第二组经获取信号而预测所述第一组经获取信号中的每一者，针对所述第一组经获取信号确定的所述第二组经获取信号的函数经定义为所述特征信号。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述经获取的光学信号包含来自每一区段中的特定目标的处于第一方位角的第一组经获取信号及来自每一区段中的所述特定目标的处于第二方位角的第二组经获取信号，其中所述特定目标具有其上方形成有所述顶部结构的未经图案化底层部分，其中所述第一方位角不同于所述第二方位角，其中所述特征提取模型使用残余信号依据所述第二组经获取信号而预测所述第一组经获取信号中的每一者，针对所述第一组经获取信号确定的所述残余信号经定义为所述特征信号。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一方位角为零且所述第二方位角为90°。