[发明专利]功率半导体装置

摘要

提供一种功率半导体装置(1)，其按照下列顺序包括：- 集电极电极(1)，- 第二导电类型的集电极层(2)，- 第一导电类型的漂移层(3)，- 第二导电类型的基极层(4)，- 具有开口(82)的第一绝缘层(8)，- 第一导电类型的发射极层(5)，其中发射极层(5)与基极层(4)接触并且至少通过第一绝缘层(8)或基极层(4)其中之一与漂移层(3)分开，- 第二导电类型的主体层(6)，其对发射极层(5)侧向布置，并且通过第一绝缘层(8)和发射极层(5)与基极层(4)分开，- 第一导电类型的源区(7)，其通过主体层(6)与发射极层(5)分开，- 由源区(7)所接触发射极电极(15)。该装置还包括：第二导电类型的第一层(65)，与发射极电极(15)接触并且与基极层(4)分开；以及第一导电类型的第二层(55)，布置在第一层(65)与基极层(4)之间，并且与发射极层(5)和源区(7)分开。平面MIS栅电极(9)从发射极电极(15)侧向布置，对应MIS沟道可在源区(7)、主体层(6)和发射极层(5)之间形成。晶闸管电流通路(120)通过开口(82)在发射极层(5)、基极层(4)和漂移层(3)之间延伸，以及关断MIS沟道(110)可在平面MIS栅电极(9)下面从第一层(65)、第二层(55)、基极层(4)到漂移层(3)形成。

主权项

一种功率半导体装置，按照下列顺序包括：‑ 集电极电极(1)，‑ 第二导电类型的集电极层(2)，‑ 第一导电类型的漂移层(3)，‑ 所述第二导电类型的基极层(4)，‑ 具有开口(82)的第一绝缘层(8)，‑ 所述第一导电类型的发射极层(5)，其中所述发射极层(5)接触到所述基极层(4)，并且其中所述发射极层(5)至少通过所述第一绝缘层(8)或所述基极层(4)其中之一与所述漂移层(3)分开，‑ 所述第二导电类型的主体层(6)，其对所述发射极层(5)侧向布置，并且所述主体层(6)通过所述第一绝缘层(8)和所述发射极层(5)与所述基极层(4)分开，‑ 所述第一导电类型的源区(7)，其通过所述主体层(6)与所述发射极层(5)分开，‑ 发射极电极(15)，其由所述源区(7)接触，其中所述装置还包括所述第二导电类型的第一层(65)，其接触到所述发射极电极(15)并且与所述基极层(4)分开，以及所述第一导电类型的第二层(55)，其布置在所述第一层(65)与所述基极层(4)之间，并且其与所述发射极层(5)和所述源区(7)分开，其中平面栅电极(9)从所述发射极电极(15)侧向布置，所述平面栅电极(9)包括导电栅极层(92)和第二绝缘层(94)，其将所述栅极层(92)与所述第一或第二导电类型的任何层并且与所述发射极电极(15)绝缘，其中所述MIS沟道(100)可在所述平面栅电极(9)下面在所述源区(7)、所述主体层(6)和所述发射极层(5)之间形成，其中第一晶闸管电流通路(120)可通过所述开口(82)在所述发射极层(5)、所述基极层(4)和所述漂移层(3)之间形成，以及其中关断沟道(110)可在所述平面栅电极(9)下面从所述第一层(65)、所述第二层(55)、所述基极层(4)到所述漂移层(3)形成。