[发明专利]具有受限的晶粒生长的RF MEMS电极有效
| 申请号： | 201480047864.7 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105493221B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 迈克·雷诺 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;B81B7/00;B81C1/00;H01H1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体上涉及RF MEMS DVC及其制造方法。为了确保不发生不期望的晶粒生长并且促成不均匀的RF电极，可以使用包含铝铜层和含钛层的多层堆叠。钛在较高温度下扩散到铝铜层中，使得铝铜的晶粒生长会被抑制并且能够制造具有一致结构的开关元件，其导致在工作期间一致的、可预测的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受限 晶粒 生长 rf mems 电极 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS DVC，包括：至少一个电极；和能够从与所述至少一个电极间隔第一距离的第一位置和与所述至少一个电极间隔第二距离的第二位置移动的开关元件，所述至少一个电极包括具有第一含钛层、第一铝铜层、第二含钛层、第二铝铜层和第三含钛层的材料的多层堆叠，其中所述第二含钛层布置在所述第一铝铜层和所述第二铝铜层之间，并且其中所述第三含钛层包括具有第一厚度的钛层和布置在所述钛层上的氮化钛层，其中氮化钛层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
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