[发明专利]具有改善的线性度的金属氧化物半导体(MOS)电容器

摘要

公开了具有改善的线性度的MOS电容器。在示例性实施例中，设备包括主支路，主支路包括第一信号路径和第二信号路径，第一信号路径具有以反转极性串联连接的第一电容器对，第二信号路径具有以反转极性串联连接的第二电容器对，第一和第二信号路径并联连接。设备还包括辅支路，辅支路包括至少一个信号路径，至少一个信号路径具有以反转极性串联连接并且与主支路并联连接的至少一个电容器对。在示例性实施例中，电容器是MOS电容器。

主权项

1.一种电容器设备，包括：主支路，包括第一信号路径和第二信号路径，所述第一信号路径具有以第一反转极性串联连接的第一电容器对，所述第二信号路径具有以第二反转极性串联连接的第二电容器对，所述第二反转极性不同于所述第一反转极性，所述第一信号路径和所述第二信号路径并联连接；以及辅支路，包括至少一个信号路径，所述至少一个信号路径具有以第三反转极性串联连接并且与所述主支路并联连接的至少一个电容器对。