[发明专利]具有改善的线性度的金属氧化物半导体(MOS)电容器

权利要求书

1.一种电容器设备，包括：

主支路，包括第一信号路径和第二信号路径，所述第一信号路径具有以第一反转极性串联连接的第一电容器对，所述第二信号路径具有以第二反转极性串联连接的第二电容器对，所述第二反转极性不同于所述第一反转极性，所述第一信号路径和所述第二信号路径并联连接；以及

辅支路，包括至少一个信号路径，所述至少一个信号路径具有以第三反转极性串联连接并且与所述主支路并联连接的至少一个电容器对。

2.根据权利要求1所述的电容器设备，其中所述第一电容器对和所述第二电容器对分别包括第一金属氧化物半导体(MOS)电容器对和第二金属氧化物半导体(MOS)电容器对，并且所述至少一个电容器对包括至少一个MOS电容器对。

3.根据权利要求2所述的电容器设备，所述主支路和所述辅支路由偏置电压偏置，以迫使所述MOS电容器对在耗尽区或氧化物区中操作。

4.根据权利要求3所述的电容器设备，所述第一MOS电容器对和所述第二MOS电容器对具有所选电容比值。

5.根据权利要求4所述的电容器设备，所述至少一个MOS电容器对具有所选电容比值。

6.根据权利要求4所述的电容器设备，所述第一MOS电容器对和所述第二MOS电容器对具有关于所述至少一个MOS电容器对的所选电容比值。

7.根据权利要求2所述的电容器设备，所述第一MOS电容器对和所述第二MOS电容器对具有关于所述至少一个电容器对的所选电容比值。

8.根据权利要求2所述的电容器设备，所述至少一个信号路径包括第三信号路径和第四信号路径，所述第三信号路径具有以所述第三反转极性串联连接的第三MOS电容器对，第四信号路径具有以所述第三反转极性串联连接的第四MOS电容器对，所述第三信号路径和所述第四信号路径与所述主支路并联连接。

9.根据权利要求8所述的电容器设备，所述辅支路由偏置电压偏置，以迫使所述第三MOS电容器对和所述第四MOS电容器对在耗尽区或氧化物区中操作。

10.一种电容器设备，包括：

用于提供在第一电压范围上操作的与多个电容器关联的电容性线性度的装置，用于提供的所述装置包括：

用于从以第一反转极性串联连接的第一MOS电容器对生成第一电容值的装置；以及

用于从以第二反转极性串联连接的第二MOS电容器对生成第二电容值的装置，所述第二反转极性不同于所述第一反转极性，用于生成所述第一电容值的所述装置和用于生成所述第二电容值的所述装置并联连接；以及

用于将与所述多个电容器关联的所述电容性线性度延伸至第二电压范围的装置，用于延伸的所述装置耦合到用于提供的所述装置。

11.根据权利要求10所述的电容器设备，所述多个电容器包括多个金属氧化物半导体(MOS)电容器对，并且所述第一MOS电容器对和所述第二MOS电容器对分别包括第一金属氧化物半导体(MOS)电容器对和第二金属氧化物半导体(MOS)电容器对。

12.根据权利要求11所述的电容器设备，用于提供的所述装置和用于延伸的所述装置包括用于偏置以迫使所述MOS电容器对在耗尽区或氧化物区中操作的装置。

13.根据权利要求12所述的电容器设备，所述多个MOS电容器具有所选电容比值。

14.根据权利要求11所述的电容器设备，所述第一MOS电容器对和所述第二MOS电容器对具有所选电容比值。

15.根据权利要求11所述的电容器设备，用于延伸的所述装置包括：

用于从以第三反转极性串联连接的第三MOS电容器对生成第三电容值的装置；以及

用于从以所述第三反转极性串联连接的第四MOS电容器对生成第四电容的装置，用于生成所述第三电容的所述装置和用于生成所述第四电容的所述装置与用于提供的所述装置并联连接。