[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201480043331.1 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105474402B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 香川泰宏;田中梨菜;福井裕;海老原洪平;日野史郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够缓和在沟槽下部形成的保护扩散层中的电场的碳化硅半导体器件。碳化硅半导体器件(100)具备：第一导电类型的漂移层(2a)；第一导电类型的源极区域(4)，形成于半导体层(2)内的上部；沟槽(5a)，贯通源极区域(4)以及基极区域(3)而形成；终端沟槽(5b)，形成于沟槽(5a)的周围；栅极绝缘膜(6)，形成于沟槽(5a)的底面以及侧面；栅电极(7)，隔着栅极绝缘膜(6)埋没而形成在沟槽(5a)内；第二导电类型的保护扩散层(13)，形成于沟槽(5a)的下部，第二导电类型的杂质浓度是第一杂质浓度；以及第二导电类型的终端扩散层(16)，形成于终端沟槽(5b)的下部，第二导电类型的杂质浓度是比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体器件，具备：第一导电类型的漂移层，形成于活性区域和作为所述活性区域的周围的区域的终端区域；第二导电类型的基极区域，在所述活性区域中形成于所述漂移层的上部；第一导电类型的源极区域，形成于所述基极区域内的上部；与所述源极区域连接的源电极；活性沟槽，在所述活性区域中贯通所述源极区域和所述基极区域而形成；终端沟槽，在所述终端区域的所述漂移层中以包围所述活性沟槽的方式形成；栅极绝缘膜，形成于所述活性沟槽的底面以及侧面；栅电极，隔着所述栅极绝缘膜而形成于所述活性沟槽内；第二导电类型的保护扩散层，形成于所述活性沟槽的下部和所述终端沟槽的下部的一部分；以及第二导电类型的终端扩散层，形成于所述终端沟槽的下部的所述保护扩散层的外侧，所述保护扩散层的第二导电类型的杂质浓度是第一杂质浓度，所述终端扩散层的第二导电类型的杂质浓度是比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，在所述终端沟槽的下部的一部分所形成的所述保护扩散层与所述源电极连接。
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