[发明专利]含有包含含氮环化合物的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201480042668.0 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105431780B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 大西龙慈;水落龙太;西田登喜雄;境田康志;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G59/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 黄媛;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供能够获得良好抗蚀剂形状的焦点位置具有广范围的抗蚀剂下层膜。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物。该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构。优选包含通过分别具有式(1)和式(2)的结构的2种含二环氧基的化合物(A)与具有式(3)的结构的含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物、或者包含通过具有式(1)的结构的含二环氧基的化合物(A)与分别具有式(2)和式(3)的结构的2种含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 包含 环化 聚合物 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物，该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构，/n
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