[发明专利]接合体及功率模块用基板有效
| 申请号： | 201480041129.5 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105393348B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸;长友义幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;B23K35/30;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/36;H05K1/02;H05K3/20;H05K3/38;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的接合体为由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件通过Cu‑P‑Sn系钎料及Ti材接合而成的接合体，其中，在所述陶瓷部件与所述Cu部件的接合界面形成有：位于所述陶瓷部件侧且Sn固溶于Cu中的Cu‑Sn层；及位于所述Cu部件与所述Cu‑Sn层之间的Ti层，在所述Cu部件与所述Ti层之间形成有由Cu和Ti构成的第一金属间化合物层，在所述Cu‑Sn层与所述Ti层之间形成有含P的第二金属间化合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷部件 接合体 金属间化合物层 功率模块 接合界面 接合 固溶 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种接合体，由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件通过Cu-P-Sn系钎料及Ti材接合而成，其中，在所述陶瓷部件与所述Cu部件的接合界面形成有：位于所述陶瓷部件侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及位于所述Cu部件与所述Cu-Sn层之间的Ti层，在所述Cu部件与所述Ti层之间形成有由Cu和Ti构成的第一金属间化合物层，在所述Cu-Sn层与所述Ti层之间形成有含P的第二金属间化合物层，所述Cu-P-Sn系钎料中含有3质量％以上10质量％以下的P和0.5质量％以上25质量％以下的Sn，所述第一金属间化合物层的厚度在0.5μm以上10μm以下，所述Ti层的厚度为1μm以上15μm以下。
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